世界最大の半導体受託製造企業（ファウンドリ）であるTSMCの先端2ナノ（nm）プロセス技術の流出事件に関与した被告らに対し、最長10年の実刑が言い渡された。台湾の司法当局が国家の重要技術の流出に対して厳しい姿勢を示したと評価されている。
27日（現地時間）、フォーカス台湾やブルームバーグなどは、台湾の知的財産及び商業裁判所が国家保安法上の「国家重要技術に関する営業秘密の海外利用」容疑などで起訴されたTSMC元社員の陳立明氏に対し、懲役10年の実刑判決を言い渡したと報じた。
検察は以前、陳氏がTSMC退職後に半導体製造装置大手、東京エレクトロンの台湾法人に転職し、TSMC在職中のエンジニアらから2ナノプロセス関連の技術図面や資料を受け取ったとして、懲役14年を求刑していた。
陳氏と共に起訴された関係者らも有罪が認められた。現職のTSMCエンジニアである呉品駿氏と倪平氏はそれぞれ懲役3年と懲役2年の実刑、もう一人のエンジニアである陳維傑氏は営業秘密漏洩容疑で懲役6年の判決を受けた。東京エレクトロンの社員である呂穎氏には、懲役10か月、執行猶予3年が言い渡されている。
裁判所は法人の責任も認め、東京エレクトロンの台湾支社に対し1億5,000万台湾ドル（約7億円）の罰金を科したほか、TSMCへ1億台湾ドル（約4億7,000万円）の賠償を命じた。あわせて公共基金への納付命令も下されている。
検察によると、陳氏は過去にTSMCの「Fab 12」歩留まり部門で勤務した後、東京エレクトロンに移籍した。その後、2023年下半期から2024年上半期にかけて、同社がTSMCの次世代プロセス装置供給網に参入できるよう、現職のエンジニアらに接触していたことが調査で明らかになった。
陳氏は呉氏や倪氏らに対し、主要技術と営業秘密の提供を継続的に要求し、該当資料は携帯電話で撮影・複製され外部に流出したとされる。検察は、これらの情報がエッチング装置の性能改善に活用され、TSMCの2ナノプロセスラインにおける納入資格の確保に利用されようとしたとみている。
TSMCは内部で異常な兆候を察知した後、自主調査を行い、元社員および現職社員が主要技術を不法に取得した状況を確認した。同社は2025年7月8日に当局へ告発し、捜査当局は同月25日から28日にかけて捜索押収と調査を実施、関係者を逮捕した上で8月27日に国家保安法と営業秘密法違反の容疑で起訴した。
捜査過程では、東京エレクトロンのクラウドストレージ内に、14ナノ以下プロセスの集積回路（IC）製造技術に関連するガス・化学物質・装置情報など、TSMCの核心的機密が保管されていた事実も判明した。検察は今年1月に捜査を拡大し、追加の人物と法人を起訴している。
台湾検察は今回の事件について、「台湾半導体業界の国際競争力を深刻に脅かす事案だ」と強調した。ブルームバーグは、陳氏らに実刑が言い渡された背景について、「重要半導体技術の保護を強化しようとする台湾当局の強い意志が反映されたものだ」と分析している。
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