アメリカが先端半導体技術への中国のアクセスを遮断する中、中国の半導体業界の主要人物らが、今後5年間に国家の総力を挙げて「中国版ASML」を構築すべきだと提言した。
7日、中国メディアの観察者網などによると、中国最大のファウンドリ企業SMIC（中芯国際集成電路製造）の共同創業者である王陽元氏をはじめ、半導体業界や学界の関係者らは最近「自国で統制可能な集積回路産業システムの構築」と題する報告書を通じて、こうした構想を提示したという。
報告書は、中国の半導体産業について、規模や競争力の面で依然として脆弱であり、企業間の過度な競争により効率が低下していると指摘した。さらに「砂が散らばっていては塔は築けない」とし、国家レベルの統合戦略の必要性を強調した。
特にアメリカが半導体設計自動化（EDA）、装置、素材の3分野で中国の発展を抑え込んでいるとし、第15次5カ年計画期間（2026～2030年）の間に、EDAや極端紫外線（EUV）露光装置、シリコン素材の問題を優先的に解決すべきだと訴えた。
EUV露光装置は先端半導体の製造に不可欠な装置で、オランダ企業ASMLが事実上独占供給している。この装置には約10万点の部品が使用されており、協力企業は約5,000社に上るとされている。
報告書は「ASMLは各種技術を統合した企業に過ぎない」としたうえで、中国も国家的な力を結集して技術を統合すればEUV装置の開発は可能だと主張した。そのためには国家レベルの統合メカニズムを構築し、資金と人材を集中管理して競争力のある先導企業を育成すべきだと提案した。
また「今後5年間は中国の半導体産業にとって臥薪嘗胆の時期になる」とし、基礎研究と核心技術の開発に集中すべきだと強調した。
今回の提案には、NANDフラッシュ企業YMTCの陳南翔会長、半導体装置メーカーNAURA Technologyの趙晋栄会長、半導体設計ソフトウェア企業Empyrean Technologyの劉衛平会長など、業界の主要人物が名を連ねた。
この報告書は先月、科学技術関連メディアに初めて掲載され、中国最大の政治イベントである両会の開幕日である3月4日にオンライン版としても公開された。今回の両会では、科学技術の自立を核心とする第15次5カ年計画が主要議題として議論されている。
経済政策を統括する国家発展改革委員会の鄭柵潔主任は3月3日の記者会見で、集積回路や衛星インターネット網分野で大規模プロジェクトを推進する計画だとし、投資規模は1,000億元～1兆元（約2兆2,900億円～約22兆9,000億円）に達する可能性があると明らかにした。
一方、ロイター通信は昨年12月、中国がEUV露光装置の試作機を製作して試験を進めており、早ければ2028年にもこれを用いた半導体生産を目指していると報じた。関係者によると、ASML出身のエンジニアらが装置を分解して分析する形で試作機を開発し、極端紫外線の生成には成功したものの、まだ実際のチップ生産段階には至っていないと伝えられている。
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