
米国の半導体メモリ企業「マイクロン・テクノロジ(Micron Technology)」が広島工場に次世代AI用のメモリ生産ラインを新設し、1兆5,000億円を投資すると日本経済新聞(日経)が30日に報じた。
Newsisの報道によると、マイクロンは2026年5月に広島県東広島市にある主力工場用地に新製造棟の建設を着工し、2028年頃から「次世代高帯域幅メモリ(HBM)」の出荷を開始する計画だという。HBMはNVIDIAなどが生産するGPUと組み合わせてAI演算を担う核心部品で、データ転送速度と処理性能が高く、AIデータセンターサーバーに不可欠なメモリとされる。
マイクロンはこれまで台湾拠点で最先端のHBMを主に生産してきたが、広島工場では一世代前のHBMと一般デジタル機器用「DRAM(ディーラム)」を製造してきた。マイクロンは米中対立や台湾有事の可能性など地政学的リスクを考慮し、5月から広島工場に極端紫外線(EUV)露光装置を初めて導入した。新製造棟が完成すれば、世界有数の次世代HBM生産拠点に育成する構想だ。
先導企業である韓国のSKハイニックスを追撃する布石でもあると日経は指摘した。世界的にデータセンター投資が急増する中、マイクロンの増設により国内の主要メモリ部品調達環境も改善されると見られる。政府は2030年度まで半導体・AI分野に10兆円以上を投入し、最先端半導体サプライチェーンを構築する方針だ。TSMCとキオクシアの国内投資をすでに支援しており、マイクロンへの支援を合わせると広島工場関連の補助金規模は最大7,745億円に達する。
















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